
Achieving higher power density with good-old Si MOSFETs
Minimizing tradeoffs and workarounds using high voltages and modular power approach to power systems design give longevity to the Si MOSFET
NBMは、電圧変換比固定(電圧調整機能なし)の非絶縁型双方向DC-DCコンバータです。この 高性能電源モジュール は単体でDC-DCソリューションを実現でき、外付けの入力フィルタや大容量コンデンサは必要ありません。その特徴に加えて、NBM2317にはホットスワップと突入電流制限の機能が内蔵されています。NBMは出力インピーダンスが低いので、高速負荷応答が可能です。
NBMシリーズには、スルーホール実装型のConverter housed in Package(ChiP™)と、表面実装型のChiP パッケージ(SM-ChiP)があり、全てのモジュールはマサチューセッツ州アンドーバーにある Vicor 最新悦のChiP™ 工場で生産されます。
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製品番号 | データシート | 入力電圧 (V) | 出力電圧 (V) | 出力電流(A) | Kファクター | 制御インターフェース | 負荷キャパシタ最大値 (uF) | 実装方式 | 温度 | Dimensions mm | Dimensions in. | パッケージ | カートに入れる/詳細を見る | |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 40.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 10.0 - 15.0 |
出力電流(A): 65.0 |
Kファクター: 1/4 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Surface Mount |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 22.83 x 17.34 x 7.41mm |
Dimensions in.: 0.89 x 0.68 x 0.29in |
パッケージ: 2317 SM-ChiP |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 40.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 10.0 - 15.0 |
出力電流(A): 80.0 |
Kファクター: 1/4 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Surface Mount |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 22.83 x 17.34 x 7.41mm |
Dimensions in.: 0.89 x 0.68 x 0.29in |
パッケージ: 2317 SM-ChiP |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 36.0 - 46.0 |
出力電圧 (V): 12.0 - 15.3 |
出力電流(A): 160.0 |
Kファクター: 1/3 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Through Hole |
温度: -55 to +125°C |
Dimensions mm: 61.00 x 25.14 x 7.21mm |
Dimensions in.: 2.40 x 0.99 x 0.28in |
パッケージ: 6123 ChiP |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 36.0 - 46.0 |
出力電圧 (V): 12.0 - 15.3 |
出力電流(A): 160.0 |
Kファクター: 1/3 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Through Hole |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 61.00 x 25.14 x 7.21mm |
Dimensions in.: 2.40 x 0.99 x 0.28in |
パッケージ: 6123 ChiP |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 36.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 7.2 - 12.0 |
出力電流(A): 170.0 |
Kファクター: 1/5 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Through Hole |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 61.00 x 25.14 x 7.21mm |
Dimensions in.: 2.40 x 0.99 x 0.28in |
パッケージ: 6123 ChiP |
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98%以上の高効率
最大272W/cm3の電力密度
並列接続で数kWまで拡張
双方向電圧変換
Achieving higher power density with good-old Si MOSFETs
Minimizing tradeoffs and workarounds using high voltages and modular power approach to power systems design give longevity to the Si MOSFET
Eliminate the 12V battery and increase EV performance
Vicor power module transient response (75A/10µs), is three times faster than 12V, in essence creating a virtual battery
Preparing the way ahead for a compatible EV infrastructure
Onboard conversion enables EVs to charge any station
Modular power delivery networks for UAVs
The key challenge we see facing engineers today is the demand for smaller, lighter-weight designs that deliver higher power